DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7301| Title: | Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем |
| Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Луцький, І. М. |
| Keywords: | Селективно легований гетеротранзистор польовий транзистор Шотткі епітаксія |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Новосядлий С. П. Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем / С. П. Новосядлий, І. М. Луцький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 413-419. |
| Abstract: | Немає сумніву, що використання технологій польових транзисторів із зотвором Шотткі на GaAs для формування швидкодіючих ВІС має велику перспективу. Не менші перспективи відкриваються перед унікальною за своїми властивостями СЛГТ – технологією для проектування сучасних ВІС/НВІС. У випадку застосування СЛГТ можна задовільнити 3 головні технологічні критерії: швидкодію, низьку споживану потужність і техноло–гічність процесу виготовлення складних структур ВІС. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/7301 |
| Appears in Collections: | Т. 16, № 2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 772-2401-1-SM.pdf | 426.91 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.