DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/7301Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Новосядлий, Степан Петрович | - |
| dc.contributor.author | Луцький, І. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-05-20T08:42:40Z | - |
| dc.date.available | 2020-05-20T08:42:40Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Новосядлий С. П. Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем / С. П. Новосядлий, І. М. Луцький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 413-419. | uk_UA |
| dc.identifier.other | 10.15330/pcss.16.2.413-419 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/7301 | - |
| dc.description.abstract | Немає сумніву, що використання технологій польових транзисторів із зотвором Шотткі на GaAs для формування швидкодіючих ВІС має велику перспективу. Не менші перспективи відкриваються перед унікальною за своїми властивостями СЛГТ – технологією для проектування сучасних ВІС/НВІС. У випадку застосування СЛГТ можна задовільнити 3 головні технологічні критерії: швидкодію, низьку споживану потужність і техноло–гічність процесу виготовлення складних структур ВІС. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
| dc.subject | Селективно легований гетеротранзистор | uk_UA |
| dc.subject | польовий транзистор Шотткі | uk_UA |
| dc.subject | епітаксія | uk_UA |
| dc.title | Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 16, № 2 | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 772-2401-1-SM.pdf | 426.91 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.