Співімплантація Zn+/As+ та Zn+/Ar+ в монокристали GaAs

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7045

Назва:	Співімплантація Zn+/As+ та Zn+/Ar+ в монокристали GaAs
Автори:	Терлецький, Андрій Іванович Радауцан, Сергій Іванович Тігіняну, Іван Михайлович Урсакі, Вячеслав Dascalu, D Marinescu, R Cobsanu, C
Ключові слова:	арсенід галію подвійна імплантація концентраційні профілі активація домішки
Дата публікації:	1993
Видавництво:	Матеріали 16-ї щорічної конференції з напівпровідників, 12-17 жовтня 1993 р, Сіная, Румунія
Бібліографічний опис:	Radautsan S. I. Zn+/As+ an Zn+/Ar+ co-implantation in GaAs single crystals / S. I. Radautsan, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, C. Cobianu, D. Dascalu, R. Marinescu // Proceedings 16th Edition of Annual Semiconductor Conf., October 12-17, Sinaia, Romania. – 1993. – pp. 465-468.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	http://hdl.handle.net/123456789/7045
Розташовується у зібраннях:	Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
CAS-93.pdf		272.94 kB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

DSpace JSPUI