Точкові дефекти у напівпровідникових кристалах

Abstract

У посібнику описано основні типи дефектів у кристалах та методи їх дослідження. Головний акцент зроблено на аналізі природи точкових дефектів: механізмів їх утворення та факторів, що впливають на концентрацію. Розглянуто аналітичні та експериментальні методи визначення термодинамічних параметрів дефектів, зокрема, ентальпій утворення та енергій йонізації. Викладено основи методів розрахунку концентрацій точкових дефектів з наведеними прикладами конкретного застосування.