DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/989| Назва: | Дослідження структурних, енергетичних та кінетичних характеристик напівпровідників RNiSb (R = Gd, Lu) |
| Інші назви: | Investigation of structural, energy state and kinetic characteristics of RNiSb semiconductor (R = Gd, Lu) |
| Автори: | Ромака, Любов Петрівна Ромака, Віталій Володимирович Стадник, Юрій Володимирович Крайовський, Володимир Ярославович Качаровський, Д. Горинь, Андрій Маркіянович |
| Ключові слова: | кристалічна та електронна структури електропровідність коефіцієнт термо-ерс |
| Дата публікації: | 2016 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Ромака Л. П. Дослідження структурних, енергетичних та кінетичних характеристик напівпровідників RNiSb (R = Gd, Lu) / Л. П. Ромака, В. В. Ромака, Ю. В. Стадник, В. Я. Крайовський, Д. Качаровський, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 2. - С. 37-42. |
| Короткий огляд (реферат): | Досліджено особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик напівпровідників р-GdNiSb та р-LuNiSb у діапазоні температур Т = 4,2 - 400 К. На прикладі р-LuNiSb показано механізм генерування структурних дефектів акцепторної природи як результат появи у позиції 4c атомів Ni (3d84s2) до 6 % вакансій та часткового, до 1,35 %, витіснення атомів Ni(4с) атомами Lu (5d16s2). |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/989 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 17, № 1 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1098-2986-1-SM.pdf | 239.53 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.