1. Carpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2016
  6. Т. 17, № 1
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/985
Назва: Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту
Інші назви: The Kinetic Effects, Caused by Thickness Fluctuations of Quantum Semiconductor Wire
Автори: Рувінський, Марк Аунович
Рувінський, Борис Маркович
Костюк, Оксана Богданівна
Ключові слова: квантовий напівпровідниковий дріт
гауссові флуктуації товщини
електропровідність
теплопровідність
Дата публікації: 2016
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Рувінський М. А. Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту / М. А. Рувінський, Б. М. Рувінський, О. Б. Костюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 1. - С. 7-10.
Короткий огляд (реферат): Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких температурах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/985
Розташовується у зібраннях:Т. 17, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1093-2977-1-SM.pdf136.21 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.