DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/930| Title: | Епітаксіальні плівки SiGe з дислокаціями для пам’яті з можливістю перемикання: точні розрахунки з перших принципів |
| Other Titles: | SiGe Epitaxial Films with Dislocations for the Switchable Memory: the Accurate First-Principle Calculations |
| Authors: | Балабай, Руслана Михайлівна Залевський, Д. В. |
| Keywords: | резистивна пам’ять довільного доступу резистивна пам’ять довільного доступу псевдопотенціал із перших принципів електронна структура густина електронних станів |
| Issue Date: | 2019 |
| Citation: | Балабай Р. М. Епітаксіальні плівки SiGe з дислокаціями для пам’яті з можливістю перемикання: точні розрахунки з перших принципів / Р. М. Балабай, Д. В. Залевський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 3. - С. 247-256 |
| Abstract: | Методами теорії функціоналу електронної густини і псевдопотенціалу із перших принципів отриманіхарактеристики електронної підсистеми робочого шару RRAM (Resistive Random Access Memory), щопобудований на основі епітаксіальних плівок Si0,9Ge0,1 з дислокаціями та впровадженими в них атомамисрібла. Розраховано просторові розподіли густини валентних електронів та їх перерізи в межах комірки,розподіл густини електронних станів, електричні заряди в околі остова атома кремнію при різних атомнихоточеннях. Досліджено, як зміни в електронній підсистемі досліджуваних об’єктів впливають на зміну їхвластивостей від непровідних до провідних. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/930 |
| Appears in Collections: | Т.20, №3 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 3840-11777-1-PB.pdf | 6.39 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.