Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/7551| Назва: | Селективне травлення монокристалів ZnхCd1-хTe |
| Інші назви: | Selective Etching of ZnхCd1-хTe Single Crystals |
| Автори: | Окрепка, Галина Михайлівна Томашик, Василь Миколайович |
| Ключові слова: | хімічне травлення тверді розчини селективне травлення ямки травлення |
| Дата публікації: | 2015 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Окрепка Г. М. Селективне травлення монокристалів ZnхCd1-хTe / Г. М. Окрепка, В. М. Томашик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 4. - С. 711-715. |
| Короткий огляд (реферат): | Селективне травлення – метод експрес-контролю дефектів структури в монокристалах напівпровідників. У статті наведено огляд літературних відомостей про селективне травлення монокристалів ZnxCd1-xTe. Інформацію систематизовано у вигляді таблиці, в якій наведено кількісний і якісний склад селективних травників і інформацію про дефекти, яку можна одержати після обробки ними. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/7551 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 16, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 829-2505-1-SM.pdf | 224.76 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.