DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/7527| Назва: | Низькочастотні імпедансні дослідження воденьмісних шаруватих кристалів GaSe |
| Інші назви: | Low-Impedance Investigations of Hydrogenated GaSe Layered Crystals |
| Автори: | Камінський, Василь Миколайович Братаніч, Тетяна Іванівна Ковалюк, Захар Дмитрович Боледзюк, Володимир Богданович Іванов, Володимир Ігорович Нетяга, Віктор Васильович |
| Ключові слова: | селенід галію стрибкова провідність діелектрична проникність |
| Дата публікації: | 2015 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Камінський В. М. Низькочастотні імпедансні дослідження воденьмісних шаруватих кристалів GaSe / В. М. Камінський, Т. І. Братаніч, З. Д. Ковалюк, В. Б. Боледзюк, В. І. Іванов, В. В. Нетяга // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 4. - С. 654-657. |
| Короткий огляд (реферат): | Досліджено структура, електричні і діелектричні властивості воденьмісних кристалів селеніду галію. Показано що, механізм АС-провідності вздовж кристалографічної осі C в області 103 –105 Гц має стрибковий характер. Розраховані параметри зонної теорії стрибкової провідності. Отримані частотні залежності компонент ε' і ε'' діелектричної проникності в HxGaSe. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/7527 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 16, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 817-2483-1-SM.pdf | 152.54 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.