Вплив коімплантації іонів P+ на електричні параметри монокристалів GaAs, імплантованих іонами Zn+

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/7241

Title:	Вплив коімплантації іонів P+ на електричні параметри монокристалів GaAs, імплантованих іонами Zn+
Other Titles:	Influence of P+ -coimplantation on electrical parameters of Zn+-implanted GaAs single crystals
Authors:	Терлецький, Андрій Іванович Урсакі, Вячеслав Ікізлі, Вікторія Тігіняну, Іван Михайлович
Keywords:	подвійна імплентація арсенід галію електричні параметри концентраційні профілі
Issue Date:	1996
Publisher:	Известия Академии наук Республики Молдова, серия Физика и техника
Citation:	Ursaki V. V. Influence of P+ -coimplantation on electrical parameters of Zn+-implanted GaAs single crystals / V. V. Ursaki, V. M. Ichizli, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1996. – 3(21). – с. 10-12.
URI:	http://hdl.handle.net/123456789/7241
Appears in Collections:	Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
BASRM_3_1996.pdf		206.3 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI