1. Carpathian National University Repository
  2. Відкриті архіви підрозділів ПНУ
  3. Фізико-технічний факультет
  4. Статті та тези (ФТФ)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7241
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorТерлецький, Андрій Іванович-
dc.contributor.authorУрсакі, Вячеслав-
dc.contributor.authorІкізлі, Вікторія-
dc.contributor.authorТігіняну, Іван Михайлович-
dc.date.accessioned2020-05-17T13:12:06Z-
dc.date.available2020-05-17T13:12:06Z-
dc.date.issued1996-
dc.identifier.citationUrsaki V. V. Influence of P+ -coimplantation on electrical parameters of Zn+-implanted GaAs single crystals / V. V. Ursaki, V. M. Ichizli, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1996. – 3(21). – с. 10-12.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/7241-
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherИзвестия Академии наук Республики Молдова, серия Физика и техникаuk_UA
dc.subjectподвійна імплентаціяuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectелектричні параметриuk_UA
dc.subjectконцентраційні профіліuk_UA
dc.titleВплив коімплантації іонів P+ на електричні параметри монокристалів GaAs, імплантованих іонами Zn+uk_UA
dc.title.alternativeInfluence of P+ -coimplantation on electrical parameters of Zn+-implanted GaAs single crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
BASRM_3_1996.pdf206.3 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.