Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/7051| Назва: | Вплив інфрачервоної підсвітки на спектри фотопровідності кристалів GaAs, опромінених α-частинками |
| Автори: | Терлецький, Андрій Іванович Радауцан, Сергій Іванович Тігіняну, Іван Михайлович Урсакі, Вячеслав |
| Ключові слова: | арсенід галію спектри фотопровідності інфрачервона підсвітка глибокі рівні радіаційні дефекти |
| Дата публікації: | 1994 |
| Видавництво: | Известия Академии наук Республики Молдова, серия Физика и техника |
| Бібліографічний опис: | Радауцан С. И. Влияние инфракрасной подсветки на спектры фотопроводимости кристаллов GaAs, облученных α-частицами / С. И. Радауцан, А. И. Терлецкий, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1994. – 1(13). – с. 3-4. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/7051 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| BASRM_1_1994.pdf | 260.37 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.