DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/7041| Назва: | Образование глубоких уровней в р-InP при электронном облучении |
| Автори: | Терлецький, Андрій Іванович Радауцан, Сергій Іванович Урсакі, Вячеслав |
| Ключові слова: | Фосфід індію глибокі рівні радіаційні дефекти DLTS |
| Дата публікації: | 1992 |
| Видавництво: | Известия Академии наук Республики Молдова, серия Физика и техника |
| Бібліографічний опис: | Радауцан С. И. Образование глубоких уровней в р-InP при электронном облучении / С. И. Радауцан, В. В. Урсаки, А. И. Терлецкий // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1992. – 1(7), – с. 85-87. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/7041 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| BASRM_1_1992.pdf | 424.41 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.