Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/579| Title: | Молекулярно-динамічне моделювання коефіцієнта теплопровідності кремній/германієвих нанониток |
| Other Titles: | Molecular Dynamics Modeling of Thermal Conductivity of Silicon/Germanium Nanowires |
| Authors: | Кішкар, А. С. Курилюк, Василь Васильович |
| Keywords: | коефіцієнт теплопровідності нанонитка кремній молекулярна динаміка |
| Issue Date: | 2018 |
| Citation: | Кішкар А. С. Молекулярно-динамічне моделювання коефіцієнта теплопровідності кремній/германієвих нанониток / А. С. Кішкар, В. В. Курилюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 3. - С. 222-225. |
| Abstract: | З використанням методу нерівноважної молекулярної динаміки розраховано коефіцієнт теплопровідності кремній/германієвих нанониток різної геометрії і компонентного складу. Показано, що при зростанні вмісту германію x, теплопровідність нанониток Si1-xGex зменшується, досягає мінімуму при x=0.4 і поступово починає зростати. Виявлено, що в порожнистих Si нанонитках коефіцієнт теплопровідності монотонно зменшується при зростанні радіусу порожнини. Розраховано фононні спектри та проаналізовано механізми фононного розсіювання в досліджуваних нанонитках. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/579 |
| Appears in Collections: | Т.19 №3 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 3045-9697-1-PB.pdf | 1.39 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.