Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/3259| Назва: | Вплив ізовалентних домішок Ва та Са на електричні властивості телуриду кадмію |
| Автори: | Махній, Віктор Петрович Бодюл, Генадій Іванович Герман, Іванна Іванівна Павлюк, Мирослав Федорович |
| Ключові слова: | легування, дифузійні шари, телурид кадмію |
| Дата публікації: | 2014 |
| Бібліографічний опис: | В.П. Махній, Г.І.Бодюл, І.І.Герман, М.Ф.Павлюк. Вплив ізовалентних домішок Ва та Са на електричні властивості телуриду кадмію // Наук. вісник ЧНУ. Фізика. Електроніка, Т.3 В.1, сc. 74-76 (1014). |
| Короткий огляд (реферат): | Шляхом низькотемпературного відпалу підкладинок n-CdTe у розчинах солей BaNO3 і CaNO3 створено шари p-типу провідності. Встановлено, що ізовалентні домішки Ba і Ca стимулюють генерацію власних точкових дефектів акцепторного типу, енергії іонізації яких складають 40, 100 і 175 меВ. Оціночна концентрація вільних дірок у дифузійних шарах при 300 К становить (5–10)1016 см–3. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/3259 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Nvchnufe_2014_3_1_14.pdf | 236.5 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.