Вплив ізовалентних домішок  Ва та Са на електричні властивості телуриду кадмію

Махній, Віктор Петрович; Бодюл, Генадій Іванович; Герман, Іванна Іванівна; Павлюк, Мирослав Федорович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/3259

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Махній, Віктор Петрович	-
dc.contributor.author	Бодюл, Генадій Іванович	-
dc.contributor.author	Герман, Іванна Іванівна	-
dc.contributor.author	Павлюк, Мирослав Федорович	-
dc.date.accessioned	2020-03-31T15:58:19Z	-
dc.date.available	2020-03-31T15:58:19Z	-
dc.date.issued	2014	-
dc.identifier.citation	В.П. Махній, Г.І.Бодюл, І.І.Герман, М.Ф.Павлюк. Вплив ізовалентних домішок Ва та Са на електричні властивості телуриду кадмію // Наук. вісник ЧНУ. Фізика. Електроніка, Т.3 В.1, сc. 74-76 (1014).	uk_UA
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/3259	-
dc.description.abstract	Шляхом низькотемпературного відпалу підкладинок n-CdTe у розчинах солей BaNO3 і CaNO3 створено шари p-типу провідності. Встановлено, що ізовалентні домішки Ba і Ca стимулюють генерацію власних точкових дефектів акцепторного типу, енергії іонізації яких складають 40, 100 і 175 меВ. Оціночна концентрація вільних дірок у дифузійних шарах при 300 К становить (5–10)1016 см–3.	uk_UA
dc.language.iso	uk_UA	uk_UA
dc.subject	легування, дифузійні шари, телурид кадмію	uk_UA
dc.title	Вплив ізовалентних домішок Ва та Са на електричні властивості телуриду кадмію	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Nvchnufe_2014_3_1_14.pdf		236.5 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record

DSpace JSPUI

DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets