DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/320| Назва: | Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском |
| Інші назви: | Investigation of Changes in Resistivity of n-Si with Temperature and Uniaxial Stress |
| Автори: | Гайдар, Галина Петрівна |
| Ключові слова: | кремній, питомий опір, направлена пружна деформація, тензоопір, параметр анізотропії рухливості. |
| Дата публікації: | 2017 |
| Видавництво: | ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Гайдар Г.П. Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском / Г.П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. – 2017. – Т.18, № 1. – С. 34-40. |
| Серія/номер: | Фізика і хімія твердого тіла;Т. 18, № 1 |
| Короткий огляд (реферат): | У роботі досліджено зміни питомого опору кристалів n-Si з температурою і направленим тиском Х, орієнтованим як у напрямку á100ñ, так і в напрямку [111]. За експериментальними даними поздовжнього і поперечного тензоопору одержано значення параметра анізотропії рухливості для умов J r|| Xr|| [100] та J r ^ X r || [100]. Виявлено наявність тензоопору в n-Si за умов X r || J r || [111], тобто, при відсутності міжмінімумного перерозподілу носіїв заряду. Наведено фізичне обґрунтування одержаних результатів. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/320 |
| ISSN: | 1729-4428 |
| Розташовується у зібраннях: | Т 18, № 1 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1801-05.pdf | 316.83 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.