Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/320| Title: | Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском |
| Other Titles: | Investigation of Changes in Resistivity of n-Si with Temperature and Uniaxial Stress |
| Authors: | Гайдар, Галина Петрівна |
| Keywords: | кремній, питомий опір, направлена пружна деформація, тензоопір, параметр анізотропії рухливості. |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Гайдар Г.П. Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском / Г.П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. – 2017. – Т.18, № 1. – С. 34-40. |
| Series/Report no.: | Фізика і хімія твердого тіла;Т. 18, № 1 |
| Abstract: | У роботі досліджено зміни питомого опору кристалів n-Si з температурою і направленим тиском Х, орієнтованим як у напрямку á100ñ, так і в напрямку [111]. За експериментальними даними поздовжнього і поперечного тензоопору одержано значення параметра анізотропії рухливості для умов J r|| Xr|| [100] та J r ^ X r || [100]. Виявлено наявність тензоопору в n-Si за умов X r || J r || [111], тобто, при відсутності міжмінімумного перерозподілу носіїв заряду. Наведено фізичне обґрунтування одержаних результатів. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/320 |
| ISSN: | 1729-4428 |
| Appears in Collections: | Т 18, № 1 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 1801-05.pdf | 316.83 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.