Дисперсія світла та крайове поглинання в тонких плівках Ga1–xAlxN (x=0; 0.03; 0.07)

Abstract

Досліджено дисперсію показника заломлення та область краю фундаментального поглинання в тонких плівках Ga1–xAlxN (x=0; 0,03; 0,07), отриманих методом високочастотного іонно-плазмового розпилення. Показано, що дисперсійна залежність отриманих плівок має складний вигляд. Встановлено, що величина оптичної ширини забороненої зони при зростанні концентрації Al від 0 до 7 мол.% зростає від 3,28 до 3,58 еВ. На основі встановлених прямо зонних дозволених фото переходів електронів в області краю фундаментального поглинання проведено оцінку величини зведеної ефективної маси вільних носіїв заряду та їхньої концентрації. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках Ga1–xAlxN (x=0; 0,03; 0,07) зумовлений ефектом Бурштейна-Мосса.