1. Carpathian National University Repository
  2. Відкриті архіви підрозділів ПНУ
  3. Фізико-технічний факультет
  4. Статті та тези (ФТФ)
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1843
Title: Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates
Other Titles: Дослідження конструктивних і технологічних особливостей формування епітаксійних арсенід-галієвих структур на кремнієвих підкладках
Authors: Новосядлий, Степан Петрович
Дзундза, Богдан Степанович
Грига, Володимир Михайлович
Новосядлий, Святослав Володимирович
Котик, Михайло Васильович
Мандзюк, Володимир Ігорович
Keywords: комплементарні структури
напівпровідники
епітаксія
інтегральні схеми
технологічні особливості
Issue Date: 2017
Publisher: НПП ЧП «Технологічний Центр»
Citation: S. Novosyadlyj, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosyadlyj, M. Kotyk, V. Mandzyuk. Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. 2017. V. 3, N. 5(87). P. 54-61.
Series/Report no.: V. 3, N. 5(87);
Abstract: Проведено аналіз складних структур різної архітектури ІС/ВІС на епі-шарах GaAs, сформованих на Si-підкладках. Вияснено вплив процесів розсіюваних носіїв заряду на флуктуаціях потенціалу на величину і профіль рухливості електронів по товщині епітаксіальної структури. Експериментально показано, що підвищення крутизни в транзисторах Шотткі на основі структур із заглибленими шарами можливе при зниженні опору паразитних областей затвор-стік, затвор витік.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/1843
ISSN: 1729-3774
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
104563-224066-1-PB.pdf956.59 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.