Вплив протонного опромінення на властивості легованих НК Si1-xGex р-типу

Abstract

Вивчено вплив протонного опромінення з енергією 6,8 МеВ та дозами до 1×1017 р + /см2 та відпалу за температур 100 – 300 оС на електропровідність ниткоподібних кристалів Si1-xGex (х = 0,03) з концентрацією домішок поблизу переходу метал-діелектрик в інтервалі температур 4,2 – 300 К у магнітних полях з індукцією до 14 Тл. Встановлено, що опромінення дозою 5×1015 р + /см-2 практично не змінює провідності кристалів, тоді як опромінення дозою 1×1016 р + /см-2 та відпал приводить до істотного зменшення опору та зміни магнетоопору НК Si1-xGex в інтервалі температур 4,2 = 40 К. Отримані результати пояснюються в рамках аналізу стрибкової провідності по домішковій зоні у кристалах.