DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/14897| Title: | Сонячний елемент на основі гетеропереходу n-ТіО2/p-CdTe |
| Other Titles: | A Solar Cell Based on a Heterojunction n-ТіО2/p-CdTe |
| Authors: | Брус, Віктор Васильович Ілащук, Марія Іванівна Ковалюк, Захар Дмитрович Мар’янчук, Павло Дмитрович Ульяницький, Костянтин Сергійович Грицюк, Б. М. |
| Keywords: | сонячний елемент тонка плівка TiO2 CdTe |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Брус В. В. Сонячний елемент на основі гетеропереходу n-ТіО2/p-CdTe / В. В. Брус, М. І. Ілащук, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук, К. С. Ульяницький, Б. М. Грицюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 2. - С. 478-481. |
| Abstract: | Виготовлені фоточутливі гетеропереходи n-ТіО2/p-CdTe шляхом нанесення методом реактивного магнетронного розпилення при постійній напрузі тонких плівок ТіО2 n-типу провідності на свіжо сколоті монокристалічні підкладки p-CdTe (110). Запропоновано методи формування омічних контактів до n - ТіО2 та p - CdTe, а також досліджено їхні електричні властивості. Сонячний елемент при освітленні 100 мВт/см2 володіє наступними фотоелектричними параметрами: напруга холостого ходу Voc = 0,69 В, струм короткого замикання Isc = 6 мА/см2 і коефіцієнтом заповнення FF = 0,42. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/14897 |
| Appears in Collections: | Т. 13, № 2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| !1302-33.pdf | 171.03 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.