DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/14792| Назва: | Особливості дефектної підсистеми ізовалентно легованих кристалів цинк селеніду ZnSе:Те |
| Інші назви: | FeaturesoftheDefectSubsystemIsovalentDoped ZincSelenideCrystalsZnSe: Te |
| Автори: | Вадюк, М. П. Гургула, Галина Ярославівна Межиловська, Любов Йосипівна |
| Ключові слова: | цинк селенід точкові дефекти самолегування кристалоквазіхімічні формули |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Вадюк М. П. Особливості дефектної підсистеми ізовалентно легованих кристалів цинк селеніду ZnSе:Те / М. П. Вадюк, Г. Я. Гургула, Л. Й. Межиловська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 2. - С. 428-433. |
| Короткий огляд (реферат): | Запропоновано кристалоквазіхімічні формули легованих кристалів n-ZnSе:Те та р-ZnSе:Те. Визначено залежність концентрації домінуючих точкових дефектів, концентрації вільних носіїв та холлівської концентрації носіїв струму від величини відхилення від стехіометричного складу (α, β), цинку у вузлах кристалічної гратки (γ) та у міжвузлях (ε), а також коефіцієнтів диспропорціюванняміжвузлових атомів цинку (δ) та вакансій цинку (μ). |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/14792 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1302-23.pdf | 440.11 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.