Дослідження Ga-In в контакті з Si, Ge і SiGe дротами для сенсорної техніки

Abstract

Опір і магнітоопір Si, Ge і Si-Ge мікро-і нанодротів досліджувалися в температурному діапазоні 4,2 – 300 К в магнітних полях до 14 Тл. Діаметри дротів від 200 нм до 20 мкм. Ga-In шлюзи були створені для дротів і досліджені омічні характеристики I-U на всьому температурному діапазоні. Було встановлено, високі пружні деформації для нанодротів Ge (близько 0,7%), а також високий магнітоопір (близько 250% при 14 Тл), що було використано для розробки багатофункціональних датчиків одночасного вимірювання напруги і напруженості магнітного поля.