DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10878| Назва: | Кристалоквазіхімічні моделі точкових дефектів і механізми легування кристалів ZnSe:Cr |
| Інші назви: | Crystall Chemistry Model of Points Defects and Dopeing Mechanisms Crystals ZnSe:Cr |
| Автори: | Левкун, М. П. Гургула, Галина Ярославівна Бойчук, Володимира Михайлівна Матеїк, Галина Дмитрівна |
| Ключові слова: | цинк селенід точкові дефекти кристалоквазіхімічні формули легування |
| Дата публікації: | 2013 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Левкун М. П. Кристалоквазіхімічні моделі точкових дефектів і механізми легування кристалів ZnSe:Cr / М. П. Левкун, Г. Я. Гургула, В. М. Бойчук, Г. Д. Матеїк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 581-588. |
| Короткий огляд (реферат): | Запропоновано кристалоквазіхімічні формули легованих кристалів n-ZnSе:Cr та р-ZnSе:Cr. Визначено залежності концентрацій домінуючих точкових дефектів, концентрації вільних носіїв та холлівської концентрації носіїв струму від величини відхилення від стехіометричного складу (α, β) та концентрації домішки Сr. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10878 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 14, № 3 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1403-22.pdf | 933.26 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.