DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10817| Назва: | Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості кристалів у системі Pb-Ga-Te |
| Інші назви: | Point Defects and Physicochemical Properties of Crystals in Pb-Ga-Te System |
| Автори: | Туровська, Лілія Вадимівна Бойчук, Володимира Михайлівна Борик, Віктор Васильович |
| Ключові слова: | точкові дефекти твердий розчин кристалоквазіхімія легування |
| Дата публікації: | 2013 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Туровська Л. В. Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості кристалів у системі Pb-Ga-Te / Л. В. Туровська, В. М. Бойчук, В. В. Борик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 2. - С. 358-369. |
| Короткий огляд (реферат): | На основі аналізу результатів експериментальних досліджень та розрахунку на основі кристалоквазіхімічних формул легованих кристалів плюмбум телуриду галієм уточнено вид і зарядовий стан домінуючих точкових дефектів. Запропоновано механізми утворення твердих розчинів PbTe-GaTe та PbTe-Ga2Te3. Визначено залежності холлівської концентрації носіїв заряду та концентрації точкових дефектів від вмісту легуючих сполук, величини початкового відхилення від стехіометричного складу плюмбум телуриду та зарядового стану галію. Встановлено умови реалізації термодинамічних n-pабо p-n-переходів. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10817 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 14, № 2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1402-06.pdf | 408.98 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.