Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості кристалів у системі Pb-Ga-Te

Abstract

На основі аналізу результатів експериментальних досліджень та розрахунку на основі кристалоквазіхімічних формул легованих кристалів плюмбум телуриду галієм уточнено вид і зарядовий стан домінуючих точкових дефектів. Запропоновано механізми утворення твердих розчинів PbTe-GaTe та PbTe-Ga2Te3. Визначено залежності холлівської концентрації носіїв заряду та концентрації точкових дефектів від вмісту легуючих сполук, величини початкового відхилення від стехіометричного складу плюмбум телуриду та зарядового стану галію. Встановлено умови реалізації термодинамічних n-pабо p-n-переходів.