DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10738| Title: | Моделі напівізолюючих шарів арсеніду галію при їх формуванні багатозарядною іонною імплантацією |
| Other Titles: | Models Semiinsulating Layers of Gallium Arsenide in Their Formation of Multiply Charged Ion Implantation |
| Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Марчук, С. М. Варварук, В. М. Мельник, Л. В. |
| Keywords: | арсенід-галієва технологія багатозарядна імплантація фонові домішки |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Новосядлий С. П. Моделі напівізолюючих шарів арсеніду галію при їх формуванні багатозарядною іонною імплантацією / С. П. Новосядлий, С. М. Марчук, В. М. Варварук, Л. В. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 872-878. |
| Abstract: | Розроблена технологія багатозарядної імплантації домішок, які дозволяють формувати латеральні та вертикальні ізолюючі шари. Проведені експериментальні дослідження по створенню високоомних та термостабільних ізолюючих шарів в іонно-легованих n+ -n- -i-структурах на напівізолюючому GaAs. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/10738 |
| Appears in Collections: | Т. 15, № 4 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| !1504-31.pdf | 313.27 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.