DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10724| Назва: | Кристалохімічний аналіз дефектної підсистеми у легованих і відпалених у шарі селену кристалах ZnSe:Mn |
| Інші назви: | Crystal defect analysis subsystem alloyed and annealed in a layer of selenium crystals ZnSe:Mn |
| Автори: | Фреїк, Дмитро Михайлович Левкун, М. П. Бойчук, Володимира Михайлівна Гургула, Галина Ярославівна Юрчишин, Любов Дмитрівна |
| Ключові слова: | кристалохімічний аналіз концентрація точкових дефектів |
| Дата публікації: | 2014 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Фреїк Д. М. Кристалохімічний аналіз дефектної підсистеми у легованих і відпалених у шарі селену кристалах ZnSe:Mn / Д. М. Фреїк, М. П. Левкун, В. М. Бойчук, Г. Я. Гургула, Л. Д. Юрчишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 784-791. |
| Короткий огляд (реферат): | На основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул для легованих манганом кристалів nZnSе:Mn та p-ZnSе:Mn розраховано залежності концентрації переважаючих точкових дефектів, вільних носіїв та холлівської концентрації від вмісту легуючої домішки Mn. Підтверджено донорну дію мангану. Показано, що відпал кристалів n-ZnSе:Mn у парі Se призводить до зменшення концентрації електронів, а у кристалах р-ZnSе:Mn‹Se› має місце зростання основних носіїв струму. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10724 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 15, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1504-17.pdf | 598.98 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.