Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/9208
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorЗапухляк, Жанна Русланівна-
dc.contributor.authorНикируй, Любомир Іванович-
dc.contributor.authorВіш, Г.-
dc.contributor.authorРубіш, Василь Михайлович-
dc.contributor.authorПрокопів, Володимир Васильович-
dc.contributor.authorГалущак, Мар'ян Олексійович-
dc.contributor.authorЛіщинський, Ігор Мирославович-
dc.contributor.authorКатанова, Л. О.-
dc.contributor.authorЯворський, Ростислав Святославович-
dc.date.accessioned2021-02-08T13:03:20Z-
dc.date.available2021-02-08T13:03:20Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationЗапухляк Ж. Р. SCAPS моделювання фотоелектричних гетеросистем на основі ZnO/CdS/CdTe/CuO / Ж. Р. Запухляк, Л. І. Никируй, Г. Віш, В. М. Рубіш, В. В. Прокопів, М. О. Галущак, І. М. Ліщинський, Л. О. Катанова, Р. С. Яворський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 4. - С. 660-668.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.21.4.660-668-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/9208-
dc.description.abstractАвтори розробили просту, дешеву та відтворювану технологію отримання тонкоплівкових гетероструктур на базі CdTe із заданою морфологією поверхні при осадженні вакуумними методами, що сприяє їх низькій вартості [1, 2]. Обгрунтували критичні розміри (товщини) окремих шарів гетероструктури, виконали симуляцію та дослідили широкий спектр оптичних властвиостей [3]. Показано, що для осадженої гетероструктури CdS/CdTe на склі можна отримати ККД 15,8%. Зважаючи, що тонкі плівки є відносно новими системами, їх дослідження може запропонувати значно ширші можливості для технологічного вдосконалення фотоелектричних перетворювачів енергії. Відповідно до аналізу сучасних літературних даних, підвищити ефективність можна, виконавши осадження на плівках ITO та ввівши наночастинки контрольованих розмірів.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectфотоелектрикаuk_UA
dc.subjectсонячні елементиuk_UA
dc.subjectгетероструктура ZnO/CdS/CdTe/CuOuk_UA
dc.subjectтонкі плівки CdTeuk_UA
dc.titleSCAPS моделювання фотоелектричних гетеросистем на основі ZnO/CdS/CdTe/CuOuk_UA
dc.title.alternativeSCAPS modelling of ZnO/CdS/CdTe/CuO photovoltaic heterosystemuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 21, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
4268-Текст статті-10248-1-10-20201230.pdf1.43 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.