Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7550
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorГургула, Галина Ярославівна-
dc.contributor.authorВінтоняк, Т. П.-
dc.contributor.authorЯремійчук, О. В.-
dc.date.accessioned2020-05-27T08:17:32Z-
dc.date.available2020-05-27T08:17:32Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationГургула Г. Я. Кристалохімія точкових дефектів та механізми утворення твердих розчинів CdxZn1-xTe / Г. Я. Гургула, Т. П. Вінтоняк, О. В. Яремійчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 4. - С. 706-710.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.16.4.706-710-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/7550-
dc.description.abstractЗапропоновано кристалоквазіхімічні формули, визначено домінуючі точкові дефекти твердих розчинів CdxZn1-xТе для n- та р-типу провідності вихідних бінарних сполук CdTe і ZnТе. Розраховано залежність концентрації дефектів, вільних носіїв струму та холлівської концентрації від складу твердих розчинівuk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectтверді розчиниuk_UA
dc.subjectточкові дефектиuk_UA
dc.subjectкристалоквазіхімічні формулиuk_UA
dc.titleКристалохімія точкових дефектів та механізми утворення твердих розчинів CdxZn1-xTeuk_UA
dc.title.alternativeCrystal-Chemistry of Point Defects and Mechanisms Formation of Solid Solutions CdxZn1-xTeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 16, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
828-2503-1-SM.pdf345.92 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.