1. Carpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2015
  6. Т. 16, № 3
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/7523
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorГузік, В. С.-
dc.date.accessioned2020-05-26T10:47:42Z-
dc.date.available2020-05-26T10:47:42Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС / С. П. Новосядлий, В. С. Гузік // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 3. - С. 599-605.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.16.3.599-605-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/7523-
dc.description.abstractСеред напівпровідників на широті використання в мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем арсенід був і залишився основним матеріалом. Разом з тим почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми в силу високої рухливості носіїв заряду мають частотний діапазон функціонування недосягаючий для мікросхем на основі кремнію (Si).uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectгетероструктураuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectкремнійuk_UA
dc.subjectреактори електронно-циклотронного резонансуuk_UA
dc.titleКомп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІСuk_UA
dc.title.alternativeComputer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BISuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 16, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
803-2459-1-SM.pdf923.94 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.