Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(4´2)

Abstract

Розрахунки (ТФГ, B3LYP, 6-31 G**) хімічних зсувів компоненти 5 2 3d остівного рівня 3d атомів германію, які входять в поверхневий шар кластера Si96H84•Ge2, що моделює молекулярний адсорбційний комплекс германію на реконструйованій грані Si(001)(4´2), показали що величина їх зсуву залежить від взаємного розташування атомів Ge. При впровадженні одного атома германію в кристалічну підкладку цей зсув позитивний, а впровадження двох атомів приводить до негативного хімічного зсуву. Дано трактування отриманих результатів, виходячи з розподілу заряду в кластерах, в так званому електростатичному наближенні.