1. Carpathian National University Repository
  2. Відкриті архіви підрозділів ПНУ
  3. Фізико-технічний факультет
  4. Статті та тези (ФТФ)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/5729
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorМахній, Віктор Петрович-
dc.contributor.authorБерезовський, Михайло Михайлович-
dc.contributor.authorКінзерська, Оксана Володимирівна-
dc.contributor.authorМазур, Мирослав Павлович-
dc.contributor.authorМазур, Тетяна Михайлівна-
dc.contributor.authorПрокопів, Володимир Васильович-
dc.date.accessioned2020-04-19T18:27:22Z-
dc.date.available2020-04-19T18:27:22Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationSensor Electronics and Мicrosystem Technologies 2019. T. 16, № 2. С. 32-42.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/5729-
dc.description.abstractВ роботі обговорюються переваги і недоліки найбільш використовуваних на сьогоднішній день напівпровідникових матеріалів різної структурної досконалості (монокристали, полікристалічні і аморфні) для створення сонячних елементів. Особлива увага приділяється вивченню можливостей використання в якості фотоперетворювачів поверхнево-бар’єрних діодів (ПБД) на базі монокристалічного телуриду кадмію. Аналізується ряд технологічних способів модифікації підкладинок n-CdTe, які призводять до суттєвого покращення електричних та фотоелектричних параметрів і характеристик ПБД.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.relation.ispartofseriesSensor Electronics and Мicrosystem Technologies;2019. T. 16, № 2. С. 32-42.-
dc.titlePROSPECTS OF USING SURFACE AND BARRIER CdTe-DIODES IN SOLAR ENERGYuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
171227-381207-1-PB.pdf932.85 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.