Покращення досконалості кристалічної ґратки InP шляхом імплантації іонів Не+ та наступного відпалу

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/4810

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Терлецький, Андрій Іванович	-
dc.contributor.author	Tighinyanu, Ion	-
dc.contributor.author	Ursaki, Viaceslav	-
dc.date.accessioned	2020-04-09T18:47:53Z	-
dc.date.available	2020-04-09T18:47:53Z	-
dc.date.issued	1995	-
dc.identifier.citation	Tiginyanu I. M. Improvement of InP crystalline perfection by He+- implantation and subsequent annealing // I. M. Tiginyanu, A. I. Terletsky, V. V. Ursaki // Solid State Commun. – 1995. – Vol. 96, No.10. – pp. 789-792.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/4810	-
dc.publisher	Solid State Communication	uk_UA
dc.subject	фосфід індію	uk_UA
dc.subject	досконалість кристалічної ґратки	uk_UA
dc.subject	Raman spectra	uk_UA
dc.title	Покращення досконалості кристалічної ґратки InP шляхом імплантації іонів Не+ та наступного відпалу	uk_UA
dc.title.alternative	Improvement of InP crystalline perfection by He+- implantation and subsequent annealing	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
tiginyanu.improvement_of_inp_crystalline.pdf		353.18 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI