1. Carpathian National University Repository
  2. Відкриті архіви підрозділів ПНУ
  3. Фізико-технічний факультет
  4. Статті та тези (ФТФ)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/4782
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorПрокопів, Володимир Васильович-
dc.contributor.authorТуровська, Лілія Вадимівна-
dc.contributor.authorГорічок, Ігор Володимирович-
dc.contributor.authorНикируй, Любомир Іванович-
dc.date.accessioned2020-04-09T18:37:47Z-
dc.date.available2020-04-09T18:37:47Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationChalcogenide Letters Vol. 13, No. 7, July 2016, p. 309 - 315uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/4782-
dc.description.abstractBy the method of modelling with quasichemical reactions, formation of native atomic defects in tin telluride crystals has been described. Based on the analysis of electroneutrality condition, concentration dependences of charge carriers and point defects on the temperature and partial vapour pressure of tellurium have been found. The constants of corresponding reactions have been specified.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.relation.ispartofseriesChalcogenide Letters;Vol. 13, No. 7, July 2016, p. 309 - 315-
dc.subjectTin Telluride, Point Defects, Quasichemistry, Equilibrium Constants, Two-Temperature Annealing.uk_UA
dc.titleQUASICHEMICAL MODELLING OF DEFECT SUBSYSTEM OF TIN TELLURIDE CRYSTALSuk_UA
dc.title.alternativeСтаттяuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
309_ProkopivV.pdf714.36 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.