DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/4195Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Возняк, Орест Михайлович | - |
| dc.contributor.author | Фреїк, Дмитро Михайлович | - |
| dc.contributor.author | Чобанюк, Володимир Михайлович | - |
| dc.date.accessioned | 2020-04-03T19:39:47Z | - |
| dc.date.available | 2020-04-03T19:39:47Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Фреїк Д.М., Возняк О.М., Чобанюк В.М. Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. I. Теоретичні аспекти розрахунку \\ ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА. - 2010. -Т. 11, № 4ю - С. 797-803. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/4195 | - |
| dc.description.abstract | Проведено аналіз методів розрахунку мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах, що базуються на моделях одиничного та періодичного дефектів відповідно. Особлива увага звернута на методи ефективної маси, Слєтера-Костера, псевдопотенціалу, Волкова-Панкратова, функціоналу густини та квантово-хімічних підходах. Підкреслено особливості використання відзначених методів розрахунку та отриманих на їх основі результатів. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.subject | локалізовані стани, мілкі центри, глибокі центри, квантово-механічні методи | uk_UA |
| dc.title | Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. I. Теоретичні аспекти розрахунку | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1104-01.pdf | 166.05 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.