Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/3120
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.contributor.authorПрокопів, Володимир Васильович-
dc.contributor.authorГорічок, Ігор Володимирович-
dc.contributor.authorПисклинець, Уляна Михайлівна-
dc.date.accessioned2020-03-31T15:16:51Z-
dc.date.available2020-03-31T15:16:51Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА Т. 9, № 2 (2008) С. 270-273uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/3120-
dc.description.abstractПроведено розрахунок концентрацій вільних носіїв заряду і точкових дефектів у монокристалах кадмій телуриду в залежності від вмісту надстехіометричного Кадмію методом термодинамічних потенціалів. Встановлено тип домінуючих точкових власних дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.relation.ispartofseriesФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА;Т. 9, № 2 (2008) С. 270-273-
dc.subjectтермодинамічний потенціал, точкові дефекти, кадмій телуридuk_UA
dc.titleТермодинамічний потенціал, точкові дефекти, телурид кадміюuk_UA
dc.title.alternativeСтаттяuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
ФХТТ, Т. 9, № 2 (2008) С. 270-273.pdf144.01 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.