Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/3025
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorYavorskyi, R.-
dc.contributor.authorZapukhlyak, Z.-
dc.contributor.authorYavorskyi, Y.-
dc.contributor.authorNykyruy, L.-
dc.date.accessioned2020-03-30T15:15:06Z-
dc.date.available2020-03-30T15:15:06Z-
dc.date.issued2017-12-
dc.identifier.citationYavorskyi, R. S., Zapukhlyak, Z. R., Yavorskyi, Y. S., & Nykyruy, L. I. (2017). Vapor Phase Condensation for Photovoltaic CdTe Films. Physics and Chemistry of Solid State, 18(4), 410-416.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/3025-
dc.description.abstractThin films of CdTe were obtained by vapor phase condensation, namely by open vacuum evaporation, using different technological factors, in particular, different thickness (different time of deposition t) d = (540 -2835) nm, deposition temperature Td = 200°C and evaporator temperature Te (500 - 600)°C. The films were deposited on silicon substrates. The morphology of thin film condensates is determined on the basis of ASM and SEM studies analysis. Were received dependences of avarage roughness and root mean square roughness from the material of substrate and film thickness. It was established that the growth of surface nanostructures is determined by Strankі-Krastanov mechanism.uk_UA
dc.publisherPhysics and Chemistry of Solid Stateuk_UA
dc.subjectcadmium telluride, thin films, nanostructures, growth processesuk_UA
dc.titleVapor Phase Condensation for Photovoltaic CdTe Filmsuk_UA
dc.title.alternativeТехнологія осадження відкритим випаровуванням у вакуумі фотоелектричних плівок CdTeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2392-6745-1-PB.pdf3.8 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.