Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/3018
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorNykyruy, L.-
dc.contributor.authorYavorskyi, R.-
dc.contributor.authorZapukhlyak, Z.-
dc.contributor.authorWisz, G.-
dc.contributor.authorPotera, P.-
dc.date.accessioned2020-03-30T15:13:05Z-
dc.date.available2020-03-30T15:13:05Z-
dc.date.issued2019-06-
dc.identifier.citationNykyruy, L. I., Yavorskyi, R. S., Zapukhlyak, Z. R., Wisz, G., & Potera, P. (2019). Evaluation of CdS/CdTe thin film solar cells: SCAPS thickness simulation and analysis of optical properties. Optical Materials, 92, 319-329.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/3018-
dc.description.abstractThe paper presents the study of the optical properties of a thin layer of Cadmium Sulphide deposited on Cadmium Telluride films. CdTe thin films were obtained by vapor phase condensation method with different thicknesses on glass substrates. The optical properties of the deposited films were analyzed by Swanepoel method using transmission spectra. The upper thin layer of CdS was deposited by thermal evaporation method on CdTe thin films. The change of the optical properties of CdS/CdTe heterojunctions were investigated and compared with CdTe thin films. The main optical constants, such as refractive index and absorption coefficient were calculated. Advanced simulations were performed in SCAPS for optimization of СdS/CdTe thin film heterostructures.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherElsevier B.V.uk_UA
dc.subjectCadmium telluride; Heterojunction; Optical properties; Solar cells simulation; Thermal evaporation method; Thin filmsuk_UA
dc.titleEvaluation of CdS/CdTe thin film solar cells: SCAPS thickness simulation and analysis of optical propertiesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Optical Materials.pdf3.86 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.