1. Carpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2025
  6. Т. 26, № 2
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/23740
Назва: Фотоелектричні властивості гетеропереходів на основі напівпровідникових оксидів металів та селеніду індію
Інші назви: Photoelectric properties of heterojunctions based on semiconducting metal oxides and indium selenide
Автори: Ткачук, Іван Георгійович
Орлецький, Іван Григорович
Ковалюк, Захар Дмитрович
Іванов, Володимир Ігорович
Заслонкін, Андрій Володимирович
Кушнір, Богдан Валерійович
Ключові слова: селенід індію
фотовідгук
гетероструктури
Дата публікації: 2025
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Ткачук І. Г. Фотоелектричні властивості гетеропереходів на основі напівпровідникових оксидів металів та селеніду індію / I. Г. Ткачук, І. Г. Орлецький, З. Д. Ковалюк, В. I. Іванов, A. В. Заслонкін, Б. В. Кушнір // Фізика і хімія твердого тіла. - 2025. - Т. 26. - № 2. - С. 231-234.
Короткий огляд (реферат): Приведено результати порівняння фоточутливості гетеропереходів на основі шаруватого напівпровідника InSe та різних широкозонних оксидів (Mn2O3, CuFeO2, Fe2O3), виготовлених методом спрей піролізу. Досліджено спектри фотовідгуку, опроміненого зі сторони плівок оксидів металів гетеропереходу в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3 eB. Встановлено виникнення фази In2Se3 між поверхнею кристалу InSe та плівками оксидів та її вплив на фоточутливость гетероструктур.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/23740
Розташовується у зібраннях:Т. 26, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
04_Tkachuk.pdf428.29 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.