DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/23740| Title: | Фотоелектричні властивості гетеропереходів на основі напівпровідникових оксидів металів та селеніду індію |
| Other Titles: | Photoelectric properties of heterojunctions based on semiconducting metal oxides and indium selenide |
| Authors: | Ткачук, Іван Георгійович Орлецький, Іван Григорович Ковалюк, Захар Дмитрович Іванов, Володимир Ігорович Заслонкін, Андрій Володимирович Кушнір, Богдан Валерійович |
| Keywords: | селенід індію фотовідгук гетероструктури |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
| Citation: | Ткачук І. Г. Фотоелектричні властивості гетеропереходів на основі напівпровідникових оксидів металів та селеніду індію / I. Г. Ткачук, І. Г. Орлецький, З. Д. Ковалюк, В. I. Іванов, A. В. Заслонкін, Б. В. Кушнір // Фізика і хімія твердого тіла. - 2025. - Т. 26. - № 2. - С. 231-234. |
| Abstract: | Приведено результати порівняння фоточутливості гетеропереходів на основі шаруватого напівпровідника InSe та різних широкозонних оксидів (Mn2O3, CuFeO2, Fe2O3), виготовлених методом спрей піролізу. Досліджено спектри фотовідгуку, опроміненого зі сторони плівок оксидів металів гетеропереходу в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3 eB. Встановлено виникнення фази In2Se3 між поверхнею кристалу InSe та плівками оксидів та її вплив на фоточутливость гетероструктур. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/23740 |
| Appears in Collections: | Т. 26, № 2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 04_Tkachuk.pdf | 428.29 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.