Особливості процесу радіаційного дефектоутворення у приповерхневому шарі імплантованих іонами Si+ плівок залізо-ітрієвого Ґранату

Abstract

Проведено математичне моделювання процесу імплантації іонів Si+ у плівку ЗІҐ. Показано, що утворення пар Френкеля та дефектів більш складного типу є рівноймовірним. Теоретично розраховано профіль концентрації радіаційних дефектів, який в основному формується дефектами, утвореними внаслідок пружних взаємодій іона-імплантага з атомами мішені. Експериментально встановлено, що імплантація іонів Si+ у плівки ЗІҐ призводить до утворення в приповерхневому шарі монотонно-спадних профілів відносної деформації.