1. Carpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2022
  6. Т. 23, № 2
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/12573
Назва: Польова емісія з перспективних катодів на основі наноструктурованого SiC: новий підхід до врахування коефіцієнта посилення поля
Інші назви: Field Emission from the Perspective Cathodes on the Nanostructured SiC base: a New Approach for the Field Enhancement Coefficient Consideration
Автори: Горячко, Андрій Миколайович
Корж, Дмитро Олексійович
Слободянюк, Денис Володимирович
Стріха, Максим Віталійович
Ключові слова: польова емісія
коефіцієнт посилення поля
наноструктурована поверхня
протрузія
Дата публікації: 2022
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Горячко А. М. Польова емісія з перспективних катодів на основі наноструктурованого SiC: новий підхід до врахування коефіцієнта посилення поля / А. М. Горячко, Д. О. Корж, Д. В. Слободянюк, М. В. Стріха // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 2. - С. 347-352.
Короткий огляд (реферат): Побудовано послідовну теорію польової емісії з наноструктурованого напівпровідникового SiC з використанням створеної аналітичної моделі для коефіцієнта підсилення поля у випадку достатньо «згладжених» протрузій, поверхня яких описуються кривою лоренцівського типу. Для верифікації наближень цієї аналітичної моделі проведено прямий численьний розрахунок коефіцієнту посилення поля для зазначених протрузій з розв’язанням рівняння Пуассона-Больцмана методом скінченних елементів. Одержані чисельні оцінки підтверджують перспективність таких катодів. Для випадку достатньо «гострої» протрузії, висота якої є більшою від півширини, при полях ~3×108 В/м можна очікувати емісійного струму ~ 1 мА з квадратного сантиметру поверхні катоду. Перевагою запропонованих наноструктурованих катодів на основі SiC залишається простота технології їх виготовлення.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/12573
Розташовується у зібраннях:Т. 23, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
5316-Текст статті-16779-1-10-20220613.pdf1 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.