Густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю

Стецун, Аполлінарій Іванович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10869

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Стецун, Аполлінарій Іванович	-
dc.date.accessioned	2021-09-17T07:17:48Z	-
dc.date.available	2021-09-17T07:17:48Z	-
dc.date.issued	2013	-
dc.identifier.citation	Стецун А. І. Густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю / А. І. Стецун // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 553-554.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/10869	-
dc.description.abstract	Розрахована густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю. Для цього використовувались формули, одержані на основі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани в вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d - електронами нікелю, p - електронами кремнію та s - електронами нікелю.	uk_UA
dc.language.iso	uk_UA	uk_UA
dc.publisher	ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"	uk_UA
dc.subject	електронні стани	uk_UA
dc.subject	тонка плівка	uk_UA
dc.title	Густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю	uk_UA
dc.title.alternative	The Density of Electron States of Nickel Silicide Amorphous Film	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Т. 14, № 3

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
!1403-16.pdf		96.72 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record

DSpace JSPUI

DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets