Фотоелектричні властивості чистих та активованих Mn2+ тонких плівок галату цинку

Abstract

Досліджено катодолюмінесцентні та фотоелектричні властивості тонких плівок ZnGa2O4 і ZnGa2O4:Mn, одержаних методом ВЧ-магнетронного розпилення в залежності від умов та атмосфери термообробки. Встановлено, що відновлювальна атмосфера відпалу до 750°С приводить до зростання інтенсивності люмінесценції та зростання електричної провідності плівок. Зростання провідності тонких плівок ZnGa2O4:Mn після відпалу у відновлювальній атмосфері пов’язується із створенням великої концентрації кисневих вакансій і міжвузельних катіонних дефектів, що приводить до появи провідності nтипу.