1. Carpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2016
  6. Т. 17, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/1068
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorСалій, Ярослав Петрович-
dc.contributor.authorРувінський, Марк Аунович-
dc.contributor.authorНикируй, Любомир Іванович-
dc.date.accessioned2019-12-26T13:27:56Z-
dc.date.available2019-12-26T13:27:56Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationСалій Я. П. Особливості розподілу нанооб’єктів на поверхні парофазних конденсатів напівпровідників IV-VI / Я. П. Салій, М. А. Рувінський, Л. І. Никируй // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 4. - С. 471-475.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/1068-
dc.description.abstractДосліджено вплив технологічних факторів отримання: часу та температур випарника та підкладки на статистику об’єктів на поверхні плівок PbTe легованого Bi,осаджених з пари у вакуумі на підкладки з ситалу. Використано атомно-силову мікроскопію, методи обробки зображення та перевірки статистичних гіпотез. Проаналізовано вплив технологічних факторів на статистику розмірів поверхневих кристалітів та їх кореляцію між собою.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectcтатистичні розподілиuk_UA
dc.subjectповерхневі об’єктиuk_UA
dc.subjectфактор формиuk_UA
dc.titleОсобливості розподілу нанооб’єктів на поверхні парофазних конденсатів напівпровідників IV-VIuk_UA
dc.title.alternativeThe Features of Nano-objects Distribution on IV-VI Vapor-Phase Condensate Surfaceuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 17, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1220-5933-1-PB.pdf1 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.