DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/1040| Title: | Особливості електрофізичного діагностування польових транзисторів Шотткі на епітаксійних шарах GaAs на кремнієвих підкладках для мікросистемних використань |
| Other Titles: | Features of Electrophysical Diagnostics of Schottky Field Transistors Based on GaAs Epitaxial Layers on Silicon Substrates for Microsystem Applications |
| Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Бенько, Тарас Григорович Когут, Ігор Тимофійович |
| Keywords: | арсенід галію польовий транзистор тепловий опір електрофізичне діагностування |
| Issue Date: | 2019 |
| Citation: | Новосядлий С. П. Особливості електрофізичного діагностування польових транзисторів Шотткі на епітаксійних шарах GaAs на кремнієвих підкладках для мікросистемних використань / С. П. Новосядлий, Т. Г. Бенько, І. Т. Когут // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 3. - С. 311-317 |
| Abstract: | В даній статті проаналізовано структуру арсенід галієвого ПТШ на кремнієвій підкладці, придатногодля локальної інтеграції в КНІ-технології та метод його електрофізичного діагностування на основі змінтеплового опору RT. Відомо, що теплопровідність GaAs в 3 - 4 рази є гіршою порівняно кремнієм. Щобусунути цей недолік було розроблено технологію формування приладних швидкісних GaAs-структур наповерхні кремнієвої підкладки. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/1040 |
| Appears in Collections: | Т.20, №3 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 3969-11747-1-PB.pdf | 675.72 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.