1. Carpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2014
  6. Т. 15, № 1
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10116
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorГайдар, Галина Петрівна-
dc.contributor.authorБаранський, Петро Іванович-
dc.contributor.authorКоломоєць, В. В.-
dc.date.accessioned2021-06-08T12:29:12Z-
dc.date.available2021-06-08T12:29:12Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationГайдар Г. П. Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge в широкому інтервалі концентрацій / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський, В. В. Коломоєць // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 1. - С. 58-62.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10116-
dc.description.abstractУ роботі при Т = 77,4 К досліджено тензоопір монокристалів n-Si і n-Ge в широкому інтервалі концентрацій 1014 £ ne £ 2 × 1019 cм -3 і механічних напружень 0 £ Х £ 1,5 ГПа та обговорено деякі його особливості, що проявляються на межі виродження електронного газу в цих кристалах. Приведено фізичне обґрунтування одержаних результатів.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectкремнійuk_UA
dc.subjectгерманійuk_UA
dc.subjectтензоопірuk_UA
dc.subjectнаправлена пружна деформаціяuk_UA
dc.titleТензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge в широкому інтервалі концентраційuk_UA
dc.title.alternativeТensoresistance of n-Si and n-Ge Multi-Valley Semiconductors Over a Wide Range of Concentrationsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 15, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1501-08.pdf173.71 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.