<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
  <channel>
    <title>DSpace Collection:</title>
    <link>http://hdl.handle.net/123456789/6789</link>
    <description />
    <pubDate>Fri, 15 May 2026 10:25:40 GMT</pubDate>
    <dc:date>2026-05-15T10:25:40Z</dc:date>
    <item>
      <title>ПроцеситрансформаціїенергіївактивованихйонамиEr3+лазернихматеріалах(огляд)</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/7679</link>
      <description>Title: ПроцеситрансформаціїенергіївактивованихйонамиEr3+лазернихматеріалах(огляд)
Authors: Кевшин, Андрій Григорович; Галян, Володимир Володимирович; Семенюк, Т. А.
Abstract: Встаттіпроведенийаналізрізнихлітературнихджерел, вякихописаніосновніпроцеситрансформаціїенергіївактивованихйонами Er3+лазернихматеріалах. Встановлено, щовосновіцихпроцесівлежатьап-конверсійнітакрос-релаксаційніпереходи, якідаютьможливістьреалізуватигенераціювербієвихлазерах. Ефективнимсенсибілізаторомдляйонівербіюєйониітербію, якізарахунокбезвипромінювальногоперенесеннязбудженняефективнопередеютьенергіюйонам Er3+.</description>
      <pubDate>Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/7679</guid>
      <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Сповнене праці життя (до 170-річчя від дня народження Івана Пулюя)</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/7319</link>
      <description>Title: Сповнене праці життя (до 170-річчя від дня народження Івана Пулюя)
Authors: Козирський, Володимир Глібович; Рокіцький, Олександр Михайлович; Шендеровський, Василь Андрійович
Abstract: 2 лютого 2015 року виповнилося 170 років від дня народження відомого вченого і патріота України –&#xD;
Івана Пулюя. Це ім’я повертається до нас із забуття, як і багато інших постатей, яскравих і непересічних, які&#xD;
не з власної волі змушені були працювати за межами України. Фундаментальні праці з фізики та&#xD;
електротехніки, науково-популярні, публіцистичні праці, спогади Івана Пулюя, талановитого фізика,&#xD;
вдумливого філософа, щирого українського патріота, є актуальні й сьогодні, коли Українська Держава&#xD;
утверджує свою незалежність.</description>
      <pubDate>Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/7319</guid>
      <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Зміна енергетичного розподілу валетних електронів при формуванні нанорозмірних сумішей SiO2+Al2O3 пірогенним синтезом</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/7304</link>
      <description>Title: Зміна енергетичного розподілу валетних електронів при формуванні нанорозмірних сумішей SiO2+Al2O3 пірогенним синтезом
Authors: Зауличний, Ярослав Васильович; Ільків, Володимир Ярославович; Яворський, Юрій Васильович; Гунько, Володимир Мусійович; Зарко, Володимир Ілліч; Карпець, Мирослав Васильович
Abstract: Порівняльний аналіз рентгенівських емісійних AlLα-, SiLα- та OKα-спектрів, отриманих від&#xD;
звичайних сумішей Al2O3/SiO2 та синтезованих пірогенним способом композитів аналогічних складів,&#xD;
виявив у останніх низько енергетичне розширення розподілу Ор- станів, заселених електронами,&#xD;
додатково перенесеними від іонів Si та Al. Показано, що цей енергетичний перерозподіл електронів, є&#xD;
наслідком розщеплення Ор- рівнів, при утворенні Орp- зв’язків між поверхневими атомами наночастинок&#xD;
в процесі пірогенного синтезу. Встановлено, що у пірогенних нанокомпозитах наночастинки Al2O3&#xD;
знаходяться в середині шару SiO2</description>
      <pubDate>Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/7304</guid>
      <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/7302</link>
      <description>Title: Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами
Authors: Новосядлий, Степан Петрович; Терлецький, Андрій Іванович; Фрик, Оксана Богданівна
Abstract: Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів&#xD;
Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть&#xD;
бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано&#xD;
низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного&#xD;
розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі.</description>
      <pubDate>Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/7302</guid>
      <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
  </channel>
</rss>

